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NTR4503NT1G.
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 2.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR4503NT1G.
No. Parte Newark26AC2768
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id2.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0.14ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.14ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd730mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.75V
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia730mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.14ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.14ohm
Disipación de Potencia Pd
730mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.75V
Disipación de Potencia
730mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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