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NTS4001NT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 270 mA, 1 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTS4001NT1G
No. Parte Newark83H7842
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id270mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4V
Disipación de Potencia Pd330mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia330mW
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El NTS4001NT1G es un MOSFET de señal pequeña de un solo canal N. Este dispositivo tiene calificación AEC-Q101 y es compatible con PPAP. Se utiliza en aplicaciones como interruptores de carga del lado bajo, dispositivos alimentados por baterías de iones de litio, teléfonos móviles, PDA, DSC, convertidores reductores y cambios de nivel.
- Carga de puerta baja para una conmutación rápida
- Puerta protegida ESD
- Corriente de drenaje continua 270mA
- Corriente de drenaje pulsada 800mA
- El voltaje de ruptura entre drenaje y fuente es de 30V como mínimo a (VGS = 0V, ID = 100µA)
- La corriente de fuga de puerta a fuente es de ±1µA como máximo a (VDS = 0V, VGS = ±10V)
- La capacitancia de entrada es típica de 20pF en (VGS = 0V, f = 1.0MHz, VDS = 5.0V)
- El tiempo de retardo de encendido es típico de 17ns en (VGS = 4.5V, VDD = 5V, ID = 10mA, RG = 50 ohms)
- El coeficiente de temperatura umbral de la puerta es -3.4mV/°C típico a ((TJ = 25°C)
- Rango de temperatura de unión de -55 °C a 150 °C, paquete SC-70
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
4V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
270mA
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
330mW
Disipación de Potencia
330mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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