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NTUD3169CZT5G.
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 220 mA, 200 mA, 1.5 ohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTUD3169CZT5G.
No. Parte Newark28AC0236
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id220mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N220mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P200mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1.5ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente5ohm
Diseño de TransistorSOT-963
Núm. de Contactos6Pines
Disipación de Potencia de Canal N125mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
200mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
5ohm
Núm. de Contactos
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
220mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
220mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-963
Disipación de Potencia de Canal N
125mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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