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NTZD3155CT2G
MOSFET, N & P-CH, 20V, 0.54A, SOT-563
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| 25+ | $0.226 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTZD3155CT2G
No. Parte Newark13AC3905
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N540mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P540mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.4ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.4ohm
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N250mW
Disipación de Potencia de Canal P250mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
540mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.4ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
250mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
540mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.4ohm
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
250mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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