Imprimir página
NVBG020N120SC1
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 98A, TO-263-7
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBG020N120SC1
No. Parte Newark41AH2117
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
716 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $71.930 |
| 10+ | $65.010 |
| 25+ | $64.660 |
| 50+ | $64.320 |
| 100+ | $63.960 |
| 250+ | $63.950 |
| 500+ | $63.940 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$71.93
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBG020N120SC1
No. Parte Newark41AH2117
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id98
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7
Disipación de Potencia468
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
NVBG020N120SC1 is a silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are automotive on board charger, automotive DC-DC converter for EV/HEV.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- 100% avalanche tested
- Low effective output capacitance (typ. Coss= 258pF)
- Drain-to-source voltage is 1200V at TJ = 25°C
- Continuous drain current is 98A at TC = 25°C
- Power dissipation is 3.7W at TC = 25°C
- Single pulse surge drain current capability is 807A at TA = 25°C, tp = 10µs, RG = 4.7ohm
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- D2PAK-7L package
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
468
Rango de Producto
EliteSiC Series
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
98
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto