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NVBG070N120M3S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 36 A, 1.2 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBG070N120M3S
No. Parte Newark80AK5052
Rango de ProductoEliteSiC Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $21.480 |
| 10+ | $17.010 |
| 25+ | $16.550 |
| 50+ | $16.100 |
| 100+ | $15.650 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBG070N120M3S
No. Parte Newark80AK5052
Rango de ProductoEliteSiC Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id36A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.4V
Disipación de Potencia172W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
36A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.4V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
172W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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