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NVBG080N120SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBG080N120SC1
No. Parte Newark91AH8574
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
112 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $12.180 |
| 10+ | $8.720 |
| 25+ | $8.640 |
| 50+ | $8.540 |
| 100+ | $8.460 |
| 250+ | $7.880 |
| 500+ | $7.300 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBG080N120SC1
No. Parte Newark91AH8574
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08
Diseño de TransistorTO-263HV (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia179
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-263HV (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
179
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto