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NVBLS0D5N04CTXG
MOSFET, N-CH, 40V, 300A, 175DEGC, 198.4W ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $11.420 |
| 10+ | $8.710 |
| 25+ | $8.400 |
| 50+ | $8.100 |
| 100+ | $7.790 |
| 250+ | $7.740 |
| 500+ | $7.670 |
| 1000+ | $7.620 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBLS0D5N04CTXG
No. Parte Newark12AJ7262
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id300A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente500µohm
Diseño de TransistorH-PSOF
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia198.4W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
H-PSOF
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
198.4W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
300A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
500µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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