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NVF3055L108T1G
MOSFET, N-CH, 60V, 3A, SOT-223
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVF3055L108T1G
No. Parte Newark02AC3820
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia de Activación Rds(on)0.092ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.12ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd2.1W
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.68
Disipación de Potencia2.1
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.092ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia Pd
2.1W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.68
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.12ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Disipación de Potencia
2.1
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NVF3055L108T1G
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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