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NVH4L018N075SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 140 A, 750 V, 0.0135 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVH4L018N075SC1
No. Parte Newark93AK8754
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 24 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $57.580 |
| 5+ | $54.170 |
| 10+ | $50.740 |
| 25+ | $47.320 |
| 50+ | $43.910 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$57.58
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVH4L018N075SC1
No. Parte Newark93AK8754
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id140A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0135ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3V
Disipación de Potencia500W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
140A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0135ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750V
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
500W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto