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NVH4L032N065M3S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 50 A, 650 V, 44 mohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVH4L032N065M3S
No. Parte Newark20AM4401
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
60 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $19.860 |
| 10+ | $18.190 |
| 25+ | $16.510 |
| 50+ | $14.850 |
| 100+ | $14.540 |
| 250+ | $14.220 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVH4L032N065M3S
No. Parte Newark20AM4401
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id50
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente44
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia187
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
NVH4L032N065M3S is an EliteSiC 650V M3S MOSFET that uses a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Typical applications include automotive on board charger and automotive DC−DC converter for EV/HEV.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 50A
- Typical RDS(ON) = 32mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 114pF)
- 100% avalanche tested
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
44
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
187
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto