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NVH4L095N065SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 31 A, 650 V, 0.105 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVH4L095N065SC1
No. Parte Newark85AK4675
Rango de ProductoEliteSiC Series
335 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $15.580 |
| 10+ | $14.790 |
| 25+ | $13.120 |
| 50+ | $11.430 |
| 100+ | $11.030 |
| 250+ | $10.630 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$15.58
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVH4L095N065SC1
No. Parte Newark85AK4675
Rango de ProductoEliteSiC Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id31A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.105ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3V
Disipación de Potencia129W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
31A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.105ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
129W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
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