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NVHL023N065M3S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 70 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVHL023N065M3S
No. Parte Newark20AM4400
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
400 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $20.010 |
| 10+ | $18.230 |
| 25+ | $17.780 |
| 50+ | $17.330 |
| 100+ | $16.880 |
| 250+ | $16.430 |
| 900+ | $16.070 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$20.01
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVHL023N065M3S
No. Parte Newark20AM4400
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id70A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.033ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia263W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
70A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.033ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
263W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto