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NVHL040N120SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVHL040N120SC1
No. Parte Newark74AH4857
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semana(s)
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $35.670 |
| 5+ | $34.220 |
| 10+ | $32.760 |
| 25+ | $32.040 |
| 50+ | $31.310 |
| 100+ | $30.590 |
| 250+ | $29.860 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$35.67
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVHL040N120SC1
No. Parte Newark74AH4857
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id60A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.056
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia348W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
- Silicon carbide (SiC) MOSFET
- 100% UIL tested, AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source on resistance is 39mohm (typ, VGS = 20V, ID = 35A, TJ = 25°C
- Reverse transfer capacitance is 12pF (typ, VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 800V)
- Continuous drain current RJC is 60A (maximum, TC = 25°C, steady state)
- Gate to source leakage current is ±1µA (max, VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Power dissipation is 348W (VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Rise time is 41ns (typ, VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 47A, RG = 4.7ohm, inductive load)
- Reverse recovery time is 24ns (typ, VGS = -5/20V, ISD = 47A, dIS/dt = 1000A/ s)
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +175°C, TO247-3L package
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.056
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3V
Disipación de Potencia
348W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto