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NVHL160N120SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVHL160N120SC1
No. Parte Newark74AH4858
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
821 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $11.820 |
| 10+ | $11.500 |
| 25+ | $11.220 |
| 50+ | $10.830 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVHL160N120SC1
No. Parte Newark74AH4858
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id17A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.162ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia119W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.162ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1V
Disipación de Potencia
119W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
17A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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