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NVMFD6H852NLWFT1G
MOSFET Dual, Canal N, 80 V, 25 A, 0.0255 ohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFD6H852NLWFT1G
No. Parte Newark39AH9073
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N80V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P80V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N25A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P25A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.021ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.021ohm
Diseño de TransistorDFN
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N38W
Disipación de Potencia de Canal P38W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
80V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
80V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
25A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.021ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
38W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
25A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.021ohm
Diseño de Transistor
DFN
Disipación de Potencia de Canal N
38W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto