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NVMFS6H818NWFT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS6H818NWFT1G
No. Parte Newark48AC1757
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id123
Resistencia de Activación Rds(on)0.0031ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3700µohm
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd136W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia136
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0031ohm
Diseño de Transistor
DFN
Disipación de Potencia Pd
136W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
123
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3700µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
136
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NVMFS6H818NWFT1G
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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