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NVTJD4001NT1G
MOSFET, AEC-Q101, DUAL NCH, 30V, SOT-363
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVTJD4001NT1G
No. Parte Newark14AC4796
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N250mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P250mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1ohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N272mW
Disipación de Potencia de Canal P272mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
250mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
272mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
250mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
272mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NVTJD4001NT1G
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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