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NXH040P120MNF1PG
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Doble Canal N, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Module
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $95.750 |
| 5+ | $95.750 |
| 10+ | $95.750 |
| 25+ | $95.740 |
| 50+ | $95.740 |
| 100+ | $95.740 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH040P120MNF1PG
No. Parte Newark81AK4282
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalDual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id30A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.042ohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines18Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3V
Disipación de Potencia74W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.042ohm
No. de Pines
18Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
74W
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto