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NXV65HR82DS1
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 26 A, 650 V, 0.082 ohm, 10 V, 5 V
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 5+ | $45.170 |
| 10+ | $40.380 |
| 25+ | $39.560 |
| 50+ | $38.740 |
| 144+ | $37.910 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXV65HR82DS1
No. Parte Newark32AJ8465
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id26A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.073ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia126W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
26A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.073ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
126W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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