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RFD3055LESM9A
MOSFET Transistor, N Channel, 11 A, 60 V, 0.107 ohm, 5 V, 3 V RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteRFD3055LESM9A
No. Parte Newark31Y4007
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id11A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.107ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia38W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
11A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.107ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia
38W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza RFD3055LESM9A
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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