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SBC847AWT1G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteSBC847AWT1G
No. Parte Newark14AC5063
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor45
Corriente del Colector Continua100
Corriente de Colector DC0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia200
Diseño de TransistorSC-70
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición100
Ganancia de Corriente DC hFE0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.110
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
45
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia
200
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
100
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
110
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
100
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
SC-70
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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