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SI4532DY
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteSI4532DYCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark67P3549
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.678 |
| 5000+ | $0.665 |
| 7500+ | $0.651 |
| 12500+ | $0.638 |
| 25000+ | $0.624 |
| 62500+ | $0.611 |
| 125000+ | $0.597 |
| 250000+ | $0.583 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$1,695.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteSI4532DYCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark67P3549
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id3.9A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.9
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.9
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.053
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.053
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SI4532DY es un FET de modo de mejora de doble canal N/P producido utilizando alta densidad celular y tecnología DMOS. Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y proporcionar un rendimiento de conmutación superior. Estos dispositivos son particularmente adecuados para aplicaciones de bajo voltaje, como la administración de energía de computadoras portátiles y otros circuitos alimentados por baterías, donde se necesita conmutación, baja pérdida de energía en línea rápida y resistencia a los transitorios.
- Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje en superficie ampliamente utilizado
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.9
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.053
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
3.9A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.9
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.053
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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