SI4532DY
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 250+ | $0.652 |
Información del producto
Resumen del producto
El SI4532DY es un FET de modo de mejora de doble canal N/P producido utilizando alta densidad celular y tecnología DMOS. Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y proporcionar un rendimiento de conmutación superior. Estos dispositivos son particularmente adecuados para aplicaciones de bajo voltaje, como la administración de energía de computadoras portátiles y otros circuitos alimentados por baterías, donde se necesita conmutación, baja pérdida de energía en línea rápida y resistencia a los transitorios.
- Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje en superficie ampliamente utilizado
Especificaciones técnicas
Canal complementario N y P
30V
30V
3.9A
0.053ohm
8Pines
2W
-
MSL 1 - Unlimited
3.9A
30V
3.9A
0.053ohm
SOIC
2W
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
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