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SMMBT2907ALT3G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteSMMBT2907ALT3G
No. Parte Newark42AC1845
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor60
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo60V
Corriente de Colector Continua600
Corriente de Colector DC600mA
Disipación de Potencia Pd225mW
Disipación de Potencia225
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE50hFE
Núm. de Contactos3Pines
Frecuencia de Transición200
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.50
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
60V
Corriente de Colector DC
600mA
Disipación de Potencia
225
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
50
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60
Corriente de Colector Continua
600
Disipación de Potencia Pd
225mW
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE
50hFE
Frecuencia de Transición
200
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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