Imprimir página
TIP142G
Transistor Darlington, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
717 En Stock
¿Necesita más?
36 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
681 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.300 |
| 10+ | $1.770 |
| 120+ | $1.460 |
| 510+ | $1.130 |
| 1020+ | $1.040 |
| 2520+ | $0.950 |
| 5010+ | $0.923 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.30
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteTIP142G
No. Parte Newark82Y7302
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Disipación de Potencia Pd125
Frecuencia de Transición0
Corriente de Colector Continua0
Disipación de Potencia0
Corriente de Colector DC10
Encapsulado de Transistor RFTO-247
Núm. de Contactos3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE500
Diseño de Transistor0
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The TIP142G is a 100V NPN complementary silicon Darlington Power Transistor designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications. It has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor. The TIP142 (NPN) and TIP147 (PNP) are complementary devices.
- High DC current gain
- 100VDC Minimum collector-emitter sustaining voltage (VCEO (sus))
- 100VDC Collector to base voltage (VCBO)
- 5VDC Emitter to base voltage (VEBO)
- 1°C/W Thermal resistance, junction to case
- 35.7°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Frecuencia de Transición
0
Disipación de Potencia
0
Encapsulado de Transistor RF
TO-247
Ganancia de Corriente DC hFE
500
Montaje de Transistor
Through Hole
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100
Disipación de Potencia Pd
125
Corriente de Colector Continua
0
Corriente de Colector DC
10
Núm. de Contactos
3Pines
Diseño de Transistor
0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto