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UFB25SC12E1BC3N
MOSFET de carburo de silicio, Puente Completo, Canal P, 36 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, PIM
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUFB25SC12E1BC3N
No. Parte Newark49AM1471
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 41 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $258.170 |
| 10+ | $248.480 |
| 25+ | $239.780 |
| 50+ | $234.380 |
| 100+ | $221.470 |
| 250+ | $217.210 |
| 500+ | $212.850 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$258.17
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUFB25SC12E1BC3N
No. Parte Newark49AM1471
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETPuente Completo
Tipo de CanalCanal P
Intensidad Drenador Continua Id36
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045
Diseño de TransistorPIM
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6
Disipación de Potencia114
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Puente Completo
Intensidad Drenador Continua Id
36
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
PIM
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Disipación de Potencia
114
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto