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UFB25SC12E1BC3N
SIC MOSFET, P-CH, 1.2KV, 36A, PIM
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUFB25SC12E1BC3N
No. Parte Newark49AM1471
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 41 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $257.100 |
| 10+ | $247.410 |
| 48+ | $238.700 |
| 72+ | $233.300 |
| 120+ | $220.390 |
| 264+ | $216.130 |
| 504+ | $211.780 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$257.10
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUFB25SC12E1BC3N
No. Parte Newark49AM1471
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETFull Bridge
Tipo de CanalP Channel
Intensidad Drenador Continua Id36A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045ohm
Diseño de TransistorPIM
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6V
Disipación de Potencia114W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Full Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
36A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045ohm
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
PIM
Voltaje de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia
114W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto