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BPW 34
PHOTO DIODE, 850NM, DIP
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $0.749 |
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| 500+ | $0.509 |
| 1000+ | $0.419 |
| 3000+ | $0.398 |
| 10000+ | $0.380 |
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Información del producto
FabricanteAMS OSRAM GROUP
No. Parte FabricanteBPW 34
No. Parte Newark94AC3852
Hoja de datos técnicos
No. de Pines2Pines
Estilo de la Carcasa del DiodoDIP
Longitud de Onda de Sensibilidad Pico850nm
Ángulo de Sensibilidad Media ±60°
Corriente Oscura2000pA
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.100°C
Rango de Producto-
Norma de Cualificación Automotriz-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
No. de Pines
2Pines
Longitud de Onda de Sensibilidad Pico
850nm
Corriente Oscura
2000pA
Temperatura de Trabajo Máx.
100°C
Norma de Cualificación Automotriz
-
Estilo de la Carcasa del Diodo
DIP
Ángulo de Sensibilidad Media ±
60°
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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