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RJK0651DPB-00#J5
MOSFET, N-CH, 60V, 25A, LFPAK ROHS COMPLIANT: YES
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.350 |
| 10+ | $1.250 |
| 25+ | $1.170 |
| 50+ | $1.090 |
| 100+ | $1.020 |
| 250+ | $0.947 |
| 500+ | $0.899 |
| 1000+ | $0.867 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteRENESAS
No. Parte FabricanteRJK0651DPB-00#J5
No. Parte Newark85AJ4341
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id25A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.011ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorLFPAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia45W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.011ohm
Diseño de Transistor
LFPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
25A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Disipación de Potencia
45W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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