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RJK0855DPB-00#J5
MOSFET, N-CH, 80V, 30A, LFPAK ROHS COMPLIANT: YES
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| 100+ | $2.150 |
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| 500+ | $1.980 |
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Información del producto
FabricanteRENESAS
No. Parte FabricanteRJK0855DPB-00#J5
No. Parte Newark85AJ4342
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.011ohm
Diseño de TransistorLFPAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia60W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
LFPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
60W
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.011ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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