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TP65H070G4LSG-TR
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 29 A, 85 mohm, 8.4 nC, QFN, Montaje Superficial
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FabricanteRENESAS
No. Parte FabricanteTP65H070G4LSG-TR
No. Parte Newark97AK4781
Rango de ProductoSuperGaN Series
Hoja de datos técnicos
492 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $12.870 |
| 10+ | $9.940 |
| 25+ | $9.590 |
| 50+ | $9.260 |
| 100+ | $8.920 |
| 250+ | $8.920 |
| 500+ | $8.910 |
| 1000+ | $8.910 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteRENESAS
No. Parte FabricanteTP65H070G4LSG-TR
No. Parte Newark97AK4781
Rango de ProductoSuperGaN Series
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id29
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente85
Carga de Compuerta Típica8.4
Diseño de TransistorPQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Rango de ProductoSuperGaN Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
85
Diseño de Transistor
PQFN
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
29
Carga de Compuerta Típica
8.4
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
SuperGaN Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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