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BSM120D12P2C005
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Canal N, 120 A, 1.2 kV, Module
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteBSM120D12P2C005
No. Parte Newark05X9537
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETMedio Puente
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id120
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorModule
No. de Pines10Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7
Disipación de Potencia780
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
The BSM120D12P2C005 is a N-channel SiC Power Module designed for use with inverter, converter, photovoltaic, wind power generation and induction heating equipment applications. The device offers low surge, low switching loss and high-speed switching possible, reduced temperature dependence.
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Medio Puente
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
10Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
120
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Disipación de Potencia
780
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto