Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 39 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $726.570 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$726.57
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteBSM180D12P2E002
No. Parte Newark88AH6160
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETMedio Puente
Tipo de CanalDoble Canal N
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id204
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorModule
No. de Pines-
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia1.36kW
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
BSM180D12P2E002 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, inverter, converter, photovoltaics, wind power generation, induction heating equipment.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1.6V drain source voltage (Tj= 25°C, VGS=0V, IS=180A)
- 1.6 to 4V gate-source voltage range (VDS=10V, ID=35.2mA)
- 204A drain current DC (Tc=60°C), 204A source current
- 2.2V typical static drain-source on-state voltage (Tj=25°C, ID180A, VGS=18V)
- 3.2mA maximum drain cut off current (VDS=1200V, VGS=0V)
- 0.5µA maximum gate-source leakage current (VGS=22V, VDS=0V)
- 45ns typical switching characteristics (VGS(on)=18V, VGS(off)=0V)
- Operating junction temperature range from -40 to 150°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Medio Puente
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
-
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
1.36kW
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
Doble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
204
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto