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BSM180D12P3C007
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Doble Canal N, 180 A, 1.2 kV, Module
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| Cantidad | Precio en USD |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteBSM180D12P3C007
No. Parte Newark88AH6161
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalDual N Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id180A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorModule
No. de Pines-
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia880W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
BSM180D12P3C007 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, inverter, converter, photovoltaics, wind power generation, induction heating equipment.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1.8V typical static drain-source on-state voltage (Tj=25°C, IC=180A, VGS=18V)
- 2µA maximum drain cut-off current (VDS=1200V, VGS=0V, Tj=25°C)
- Gate-source threshold voltage range from 2.7V to 5.6V (VDS=10V, ID=50mA, Tj=25°C)
- 9nF typical input capacitance (VDS=10V, VGS=0V, 100KHz, Tj=25°C)
- 50ns typ switching characteristics (Tj=25°C)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate, f=60Hz AC 1min)
- 1.4ohm typical gate resistance (Tj=25°C)
- Junction temperature range from -40°C to150°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
-
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Disipación de Potencia
880W
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
Dual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
180A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
Module
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto