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GNP1070TC-ZE2
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteGNP1070TC-ZE2
No. Parte Newark72AK1869
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.07ohm
Carga de Compuerta Típica5.2nC
Diseño de TransistorDFN8080K
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines8Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.07ohm
Diseño de Transistor
DFN8080K
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Carga de Compuerta Típica
5.2nC
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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