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QH8K51TR
MOSFET, DUAL N-CH, 100V, 2A, TSMT ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.330 |
| 10+ | $0.912 |
| 25+ | $0.845 |
| 50+ | $0.777 |
| 100+ | $0.709 |
| 250+ | $0.638 |
| 500+ | $0.566 |
| 1000+ | $0.517 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteQH8K51TR
No. Parte Newark74AK1583
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.24ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorTSMT
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.5W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.24ohm
Diseño de Transistor
TSMT
Disipación de Potencia de Canal N
1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto