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R6004JNXC7G
MOSFET, N-CH, 4A, 600V, TO-220FM
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteR6004JNXC7G
No. Parte Newark01AH7801
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.43ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220FM
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia35W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.43ohm
Diseño de Transistor
TO-220FM
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6V
Disipación de Potencia
35W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza R6004JNXC7G
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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