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RD3P200SNFRATL
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, 20A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.460 |
| 10+ | $2.330 |
| 25+ | $2.170 |
| 50+ | $2.030 |
| 100+ | $1.870 |
| 250+ | $1.830 |
| 500+ | $1.790 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRD3P200SNFRATL
No. Parte Newark69AH1947
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.046ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia20W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
20W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.046ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
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