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RH6L040BGTB1
MOSFET, N-CH, 60V, 65A, HSMT ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.930 |
| 10+ | $2.050 |
| 25+ | $1.850 |
| 50+ | $1.670 |
| 100+ | $1.470 |
| 250+ | $1.350 |
| 500+ | $1.230 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRH6L040BGTB1
No. Parte Newark69AK4976
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id65A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0071ohm
Diseño de TransistorHSMT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia59W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
65A
Diseño de Transistor
HSMT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
59W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0071ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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