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RQ6L035ATTCR
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 3.5 A, 0.078 ohm, SOT-457T, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.360 |
| 10+ | $0.900 |
| 25+ | $0.798 |
| 50+ | $0.697 |
| 100+ | $0.595 |
| 250+ | $0.530 |
| 500+ | $0.464 |
| 1000+ | $0.421 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRQ6L035ATTCR
No. Parte Newark22AJ0397
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id3.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.078
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-457T
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia1.25
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.078
Diseño de Transistor
SOT-457T
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1.25
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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