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RSQ030N08HZGTR
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 3 A, 0.131 ohm, SOT-457T, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRSQ030N08HZGTR
No. Parte Newark69AH2036
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.131
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-457T
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia1.25
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.131
Diseño de Transistor
SOT-457T
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1.25
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
3
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
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