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RTQ020N05FRATR
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 45V, TSMT
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRTQ020N05FRATR
No. Parte Newark24AC5325
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds45V
Intensidad Drenador Continua Id2A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.19ohm
Diseño de TransistorTSMT
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia1.25W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
45V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TSMT
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.19ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza RTQ020N05FRATR
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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