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RV2C001ZPT2L
MOSFET Transistor, P Channel, -100 mA, -20 V, 2.5 ohm, -4.5 V, -1 V RoHS Compliant: Yes
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 27 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.442 |
| 10+ | $0.279 |
| 100+ | $0.183 |
| 500+ | $0.142 |
| 1000+ | $0.125 |
| 2500+ | $0.110 |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.21
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRV2C001ZPT2L
No. Parte Newark71Y9258
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id100mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.8ohm
Diseño de TransistorVML1006
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia100mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
VML1006
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.8ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
100mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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