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RV8L002SNHZGG2CR
MOSFET, N-CH, 60V, 0.25A, DFN1010 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 50+ | $0.361 |
| 100+ | $0.328 |
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| 500+ | $0.271 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRV8L002SNHZGG2CR
No. Parte Newark04AJ4472
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id250mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.4ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorDFN1010
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3V
Disipación de Potencia1W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.4ohm
Diseño de Transistor
DFN1010
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
250mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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