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RVQ040N05TR
MOSFET, N-CH, 45V, 4A, TSMT
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 27 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.860 |
| 10+ | $0.723 |
| 25+ | $0.647 |
| 50+ | $0.570 |
| 100+ | $0.493 |
| 250+ | $0.447 |
| 500+ | $0.400 |
| 1000+ | $0.362 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRVQ040N05TR
No. Parte Newark10AC8990
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds45V
Intensidad Drenador Continua Id4A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.053ohm
Diseño de TransistorTSMT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia1.25W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
45V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TSMT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.25W
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.053ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza RVQ040N05TR
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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