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SCT3060ALGC11
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3060ALGC11
No. Parte Newark05AC9463
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id39A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06ohm
Diseño de TransistorTO-247N
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia165W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
39A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247N
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
165W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SCT3060ALGC11
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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