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SCT3160KLGC11
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 17A, TO-247N-3
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.910 |
| 10+ | $7.440 |
| 25+ | $7.040 |
| 60+ | $6.730 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3160KLGC11
No. Parte Newark05AC9467
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id17
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.16ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.16
Diseño de TransistorTO-247N
Disipación de Potencia Pd103W
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia103
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.16
Disipación de Potencia Pd
103W
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
103
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
17
Resistencia de Activación Rds(on)
0.16ohm
Diseño de Transistor
TO-247N
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
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