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SCT4026DEC11
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247N
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT4026DEC11
No. Parte Newark29AK7111
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id56
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.026
Diseño de TransistorTO-247N
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.8
Disipación de Potencia176
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.026
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.8
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
56
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247N
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
176
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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