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SEMIX453GB12E4S
Módulo IGBT, Doble, 683 A, 1.8 V, 175 °C, SEMiX 3s
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSEMIX453GB12E4S
No. Parte Newark77R2134
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDoble
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Corriente de Colector DC683A
Corriente del Colector Continua683
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.8V
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.8
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd-
Temperatura de Trabajo Máx.175
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Union, Tj Máx.175°C
Diseño de TransistorSEMiX 3s
No. de Pines20Pines
Terminación del IGBTPerno
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Tecnología IGBTIGBT 4 [Zanja]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Doble
Corriente de Colector DC
683A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.8V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Temperatura de Union, Tj Máx.
175°C
No. de Pines
20Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Corriente del Colector Continua
683
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.8
Disipación de Potencia Pd
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Diseño de Transistor
SEMiX 3s
Terminación del IGBT
Perno
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Zanja]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto