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SKM150GB12T4
Módulo IGBT, Medio Puente, 232 A, 1.8 V, 175 °C, Module
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $194.200 |
| 5+ | $184.270 |
| 16+ | $174.390 |
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM150GB12T4
No. Parte Newark94M9316
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Configuración IGBTMedio Puente
Corriente de Colector Continua232A
Corriente de Colector DC232A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.8V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.8V
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Temperatura de Union, Tj Máx.175°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTPerno
Núm. de Contactos7Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 4 rápido [zanja]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Resumen del producto
El SKM150GB12T4 es un módulo IGBT SEMITRANS® 2 para usar con variadores de frecuencia de CA y soldadores electrónicos a fsw de hasta 20kHz. Cuenta con una placa base de cobre aislada que utiliza tecnología DBC (Direct Bonded Copper) y una mayor capacidad de ciclo de potencia.
- Interruptor de medio puente
- IGBT4 = IGBT de trinchera rápido de cuarta generación (Infineon)
- CAL4 = diodo de conmutación suave de 4ª generación
- Resistencia de Compuerta Integrada
- Reconocido por UL ,archivo E63532
Aplicaciones
Administración de Potencia, Reparación y Mantenimiento
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Corriente de Colector Continua
232A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.8V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Terminación del IGBT
Perno
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Configuración IGBT
Medio Puente
Corriente de Colector DC
232A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.8V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
175°C
Diseño de Transistor
Module
Núm. de Contactos
7Pines
Tecnología IGBT
IGBT 4 rápido [zanja]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SKM150GB12T4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto