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2N4859A
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -30 V, 50 mA, -10 V, TO-18, 3 Pines
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Información del producto
FabricanteSOLID STATE
No. Parte Fabricante2N4859A
No. Parte Newark67R1090
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-30V
Voltaje de Ruptura Vbr-30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula50mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero50mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-10V
Diseño de TransistorTO-18
Núm. de Pines3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.-
Tipo de TransistorJFET
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
50mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-10V
Núm. de Pines
3 Pines
Tipo de Transistor
JFET
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Ruptura Vbr
-30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
50mA
Diseño de Transistor
TO-18
Temperatura de Trabajo Máx.
-
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto